碳化硅器件制造環(huán)節(jié)主要包括“光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄”等工藝。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅器件耐高壓、大電流功能，離子注入工藝成為碳化硅摻雜的重要步驟，離子注入是一種向半導(dǎo)體材料加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。然而離子注入后，碳化硅材料原本的晶格結(jié)構(gòu)被破壞而變成非晶態(tài)，這種晶格損傷必須在退火過程中修復(fù)成單晶結(jié)構(gòu)并激活摻雜物。

在SiC材料晶體生長過程中，快速退火爐使硅原子可以獲得足夠的能量進(jìn)行擴(kuò)散和遷移，重新排列成有序的晶格結(jié)構(gòu)，有利于提高晶體生長的質(zhì)量和尺寸，減少缺陷和氧化。通過快速退火處理，可以消除晶體中的應(yīng)力，提高SiC材料的晶體品質(zhì)和性能，同時(shí)，與傳統(tǒng)的退火工藝對(duì)比，快速退火具有更高的加熱和冷卻速度，可以有效縮短退火時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。

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RTP快速退火爐是一種廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體、歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物/氮化物生長等工藝中的加熱設(shè)備，能夠在短時(shí)間內(nèi)將半導(dǎo)體材料迅速加熱到高溫，具備良好的熱均勻性。RTP快速退火爐提供了更先進(jìn)的溫度控制，可以實(shí)現(xiàn)秒級(jí)退火，提高退火效率的同時(shí)可有效節(jié)約企業(yè)的生產(chǎn)成本。

桌面型快速退火爐RTP-Table-6

RTP-Table-6為桌面式4-6英寸晶圓快速退火爐，使用上下兩層紅外鹵素?zé)艄茏鳛闊嵩醇訜幔瑑?nèi)部石英腔體保溫隔熱，腔體外殼為水冷鋁合金，使得制品加熱均勻，且表面溫度低。RTP-Table-6采用PID控制系統(tǒng)，能快速調(diào)節(jié)紅外鹵素?zé)艄艿妮敵龉β?，控溫更加精?zhǔn)。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

◎升溫速度快：升溫速率可達(dá)150℃/s，有效節(jié)省工藝時(shí)間

◎精確的溫度控制：配備PID控溫，實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)燈管功率輸出，保證良好的溫度重現(xiàn)性和溫度均勻性

◎標(biāo)配三組工藝氣體：如氮?dú)?、氬氣等，滿足不同材料的熱處理需求。

◎?qū)崟r(shí)監(jiān)控：軟件主界面能實(shí)時(shí)顯示氣體、溫度、真空度等參數(shù)

◎緊湊的桌面式設(shè)計(jì)：適合實(shí)驗(yàn)室和小型生產(chǎn)環(huán)境，節(jié)省空間，便于移動(dòng)和部署

◎全方位保障使用安全：擁有爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)、設(shè)備急停安全保護(hù)三重措施

適用范圍

離子注入退火

ITO鍍膜后快速退火

氮化物、氧化物生長

硅化物合金退火

砷化鎵工藝

歐姆接觸快速合金

氧化回流

其他半導(dǎo)體快速熱處理工藝