在人工智能、5G、自動(dòng)駕駛等發(fā)展趨勢(shì)下，市場(chǎng)和消費(fèi)者對(duì)于芯片性能也提出了更高的要求，為了滿(mǎn)足新興應(yīng)用對(duì)高性能芯片的需求，先進(jìn)封裝應(yīng)運(yùn)而生。

先進(jìn)封裝主要是指倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級(jí)封裝（Wafer level package），2.5D封裝（interposer，RDL等），3D封裝（TSV）等技術(shù)。與傳統(tǒng)封裝相比，先進(jìn)封裝具有更高的集成度、更小的尺寸以及更低的功耗等，滿(mǎn)足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化需求的同時(shí)還能夠在一定程度上降低制造成本并提高生產(chǎn)效率。

等離子在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中起到的作用

等離子作為一種高效、環(huán)保的表面處理技術(shù)，在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。通過(guò)等離子處理可以改善和解決半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中的諸多問(wèn)題，包括改善凸塊（Bumping）工藝質(zhì)量、消除倒裝芯片（(Flip-Chip）底部填充空隙以及減少封裝分層等。

等離子在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域中的應(yīng)用實(shí)例

凸塊（Bumping）工藝

凸塊（Bumping）工藝廣泛用于FC、WLP、CSP、3D等先進(jìn)封裝技術(shù)中，倒裝(Flip-Chip)時(shí)，在芯片上形成凸點(diǎn)，利用加熱熔融的焊球?qū)崿F(xiàn)芯片與基板焊盤(pán)結(jié)合，以實(shí)現(xiàn)芯片與基板或其他封裝材料之間的電氣和機(jī)械連接。

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為了實(shí)現(xiàn)更好的焊接效果，在凸塊與焊盤(pán)連接前可以使用等離子進(jìn)行表面活化，有效提高凸塊與焊盤(pán)之間焊接牢固性，從而提高芯片的可靠性。

WaferLevel Package（晶圓級(jí)封裝）工藝

RDL（重布線層）作為WaferLevel Package晶圓級(jí)封裝工藝的關(guān)鍵技術(shù)，用于重新分布芯片上的I/O 連接，形成表面陣列布局，以滿(mǎn)足更復(fù)雜的連接需求。在此過(guò)程中，等離子表面處理技術(shù)可以改善晶圓及封裝材料的表面特性，增加表面能，使得金屬層和介質(zhì)層在沉積時(shí)能夠更好地附著在晶圓表面，有助于形成穩(wěn)定的金屬布線圖形。

鈍化層涂布前：通過(guò)等離子處理實(shí)現(xiàn)晶圓表面改性，從而提高鈍化層（PI/BCB）與晶圓的附著力。

顯影后：使用等離子對(duì)鈍化層表面進(jìn)行活化改性，以提高UBM種子層與鈍化層的附著力。

電鍍前：通過(guò)等離子對(duì)光刻膠顯影后的膠層進(jìn)行表面刻蝕，從而提高電鍍層的沉積質(zhì)量。

電鍍后：如果光刻膠殘留會(huì)影響層間的絕緣性能或?qū)е逻B接不良，需要通過(guò)等離子去除殘余光刻膠，有助于提升RDL（重布線層）技術(shù)的質(zhì)量。

Underfill點(diǎn)膠工藝前

在Flip Chip (FC)倒裝工藝中，實(shí)現(xiàn)芯片與基板的連接后，為了提高其穩(wěn)定性，通常會(huì)在芯片與基板之間采用填充膠加固。在Underfill點(diǎn)膠過(guò)程中，如果表面的粘附性不足，會(huì)導(dǎo)致膠水無(wú)法充分潤(rùn)濕芯片和基板之間的間隙，容易產(chǎn)生氣泡和空洞，影響封裝質(zhì)量。

因此，在Underfill點(diǎn)膠前，使用等離子處理可以顯著提高芯片和基板表面潤(rùn)濕性，從而增強(qiáng)密封性。

Molding工藝前

Molding工藝用于確保芯片等元器件得到有效的封裝和保護(hù)。在Molding工藝前，通過(guò)等離子處理，可以對(duì)芯片和封裝載板表面進(jìn)行清洗活化，提高表現(xiàn)附著力，去除表面有機(jī)污染物，從而提高封裝的精度和可靠性，減少空洞和剝離現(xiàn)象的發(fā)生，防止分層。

晟鼎精密半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域應(yīng)用設(shè)備

微波等離子清洗機(jī)SPV-100MWR

SPV-100MWR采用自主研發(fā)微波等離子發(fā)生器，等離子體高效均勻，在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

產(chǎn)品放置治具靈活多變，可適應(yīng)不規(guī)則的產(chǎn)品

無(wú)電極微波設(shè)計(jì)，可滿(mǎn)足軟性產(chǎn)品處理需求

低溫等離子體，避免對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生熱損傷

電中性等離子體，對(duì)產(chǎn)物無(wú)電破壞

片式真空等離子清洗機(jī)

針對(duì)半導(dǎo)體現(xiàn)金封裝領(lǐng)域中的RDL工藝、Molding工藝、Flip Chip (FC)倒裝工藝等，能夠大幅提高其表面潤(rùn)濕性，保證后續(xù)工藝質(zhì)量，從而提高封裝的可靠性和穩(wěn)定性。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)：

一體式電極板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，等離子體密度高，均勻性好，處理效果佳

雙工位處理平臺(tái)，四軌道同時(shí)上料，有效提升產(chǎn)能

可兼容多種彈匣尺寸，可自動(dòng)調(diào)節(jié)寬度，提升效率并具備彈匣有無(wú)或裝滿(mǎn)報(bào)警提示功能

工控系統(tǒng)控制，一鍵式操作，自動(dòng)化程度高

PLASMA等離子去膠機(jī)ST-3100

適用于Ashing(灰化)、聚合物去除、抗反射圖形膜層干法清除、離子注入后光阻去除、射頻濾波器BAW/SAW工藝中的光阻去除、硬掩膜層干法清除、刻蝕后表面清潔、DESCUM、表面殘留物清除等工藝。

設(shè)備優(yōu)勢(shì)：

采用遠(yuǎn)程等離子體,晶圓離子損傷低

兼容主流4-8寸晶圓

全自動(dòng)程度高，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)晶圓上下料、清洗流程

等離子密度高，去膠效果好